Инженер по силовым приборам

Участие в проектировании и разработке конструкций силовых полупроводниковых приборов MOSFET, SBD, JFET, IGBT. Анализ результатов измерений параметров приборов и оптимизация их характеристик. Подготовка и согласование конструкторской документации (КД, ТЗ, ТТ). Участие в моделировании полупроводниковых приборов в системах автоматического проектирования (САПР). Разработка технических заданий на изготовление фотошаблонов и контроль их выполнения. Подготовка программ и методик измерений и испытаний полупроводниковых приборов. Участие в создании научно-технических отчетов, патентов и других результатов интеллектуальной деятельности. Взаимодействие с подразделениями компании и внешними партнерами для реализации проектов.